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据路透社援引知情人士消息,中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)计划启动HBM3E高带宽内存的生产,尽管当前良率仅20%至30%。HBM3E是面向AI处理器、GPU加速器和高性能计算的关键存储方案,目前全球市场主要由SK海力士、三星、美光主导。消息称,CXMT的HBM3E在实际性能上更接近SK海力士上一代HBM3,而非当前最新HBM3E水平,表明其在频率、带宽或功耗等指标上仍存在代际差距。但在美国出口管制持续收紧的背景下,长鑫存储推动HBM3E进入生产阶段,仍被业内视为中国构建自主AI芯片供应链的重要一步。低良率意味着初期成本较高、规模受限,后续能否通过工艺改进和良率爬坡实现稳定供货,将是其能否进入主流AI供应链的关键。

核心要点

  • 长鑫存储计划启动HBM3E生产,当前良率仅20%至30%
  • 其HBM3E性能更接近SK海力士上一代HBM3,存在代际差距
  • 在美国出口管制下,此举被视为中国推进AI内存自主化的重要尝试

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